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mos管导通条件新上映_p沟道mos管结构图(2024年11月抢先看)

内容来源：兔耳朵在线影院所属栏目：导读更新日期：2024-11-28

mos管导通条件

在相同功率和相同耐压的条件下，IGBT的导通电阻通常比NMOS管更低。这一结论主要基于IGBT和NMOS管在内部结构和工作原理上的差异。 IGBT是一种复合型半导体器件，由晶体三极管和MOS管组成，其内部结构设计使得在高电压下仍能保持较低的导通电阻。相比之下，NMOS管在高压大电流场合下，由于导通电阻随耐压升高而迅速增大，其导通电阻通常会比IGBT高。然而，需要注意的是，导通电阻的大小还受到制造工艺、材料、温度等多种因素的影响。因此，在具体应用中，还需要根据具体的产品规格和测试数据来确定两者的导通电阻差异。此外，IGBT和NMOS管各有其优缺点和适用场景。IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，而NMOS管则具有高频特性好、开关速度快等优点。因此，在选择使用哪种器件时，需要根据具体的应用需求和电路设计要求进行综合考虑。金典语录

反激式开关电源设计与仿真：从零开始到成品 𐟔 反激式开关电源是什么？反激，顾名思义，就是开关管导通时，高频变压器T的初级绕组和次级绕组的工作状态是相反的。简单来说，当MOS管导通时，变压器T的初级绕组上正下负，次级绕组上负下正，二极管D1截止，变压器T初级绕组储能；而当MOS管截止时，由于变压器T初级绕组中存在反电动势，需要释放能量，变压器T初级绕组上负下正，次级绕组上正下负，二极管D1导通给滤波电容储能后输出。 𐟓– 局部电路设计输入滤波整流电路：这个部分主要是为了滤除输入电压的纹波，保护后续电路不受干扰。 PWM驱动电路：负责生成PWM信号，控制开关管的导通和截止。吸收电路：用于吸收开关管在切换时产生的浪涌电流，保护开关管不被烧坏。光耦反馈电路：通过光耦隔离输入和输出，提供稳定的反馈信号。 𐟓 总体电路设计将上述各个部分整合在一起，形成一个完整的反激式开关电源电路。这一步需要考虑到各个部分的协调性，确保整个电路能够正常工作。 𐟖𜯸 PCB绘制在确定了电路设计后，需要进行PCB绘制。这一步需要考虑到元件的布局、布线等细节问题，确保PCB板制作出来后能够正常工作。 𐟓 总结通过上述步骤，我们完成了一个反激式开关电源的设计和仿真。从输入滤波整流电路到光耦反馈电路，每一个部分都经过了精心设计，确保整个电源的性能和稳定性。希望这个设计文档能为你在开关电源设计上提供一些参考和帮助！

直流变交流H桥中，不同方案的效率主要取决于所使用的开关器件及其特性。一般来说，MOS管（如MOSFET）驱动的方案效率较高，因为MOS管的导通压降较小，导通电阻低，从而减少了在导通过程中的能量损耗。具体来说，MOS管在导通时，其压降主要由导通电阻决定，而高质量的MOS管通常具有非常低的导通电阻，这使得在通过相同电流时，MOS管上的压降远小于其他类型的开关器件，如三极管或集成电路H桥（如L298N）。因此，在相同的条件下，MOS管驱动的H桥能够将更多的能量输出给负载，从而提高整体效率。然而，需要注意的是，虽然MOS管驱动的方案效率较高，但其成本也可能相对较高，且对技术要求也较高。此外，在选择H桥方案时，还需要考虑其他因素，如安全性、可靠性、成本以及实际应用需求等。综上所述，直流变交流H桥中，MOS管驱动的方案通常具有较高的效率，但具体选择还需根据实际应用情况综合考虑。

科沃斯边刷电机不转？DIY修复！最近遇到个烦心事，科沃斯扫地机（DN36）的右边刷电机突然不转了。售后报价上千，说要换主板，心里真是咯噔一下。想着还是自己动手修吧，毕竟动手能丰衣足食嘛。拆卸步骤 𐟛 ️ 首先，把机器底面向上，把两个边刷拔下来。然后拆掉前撞缓冲板的8颗小螺丝，把固定片取下来。这样前撞缓冲板就能轻松移除了。接下来，卸下水箱，再拆掉后壳固定到前壳的6颗螺丝。这样上盖和主机就能拆开了，注意别一下子猛拉开上壳，靠近雷达那里有一根黑短线，别扯断了。拆解机器 𐟔犦‹🦎‰尘盒和地滚刷，机器就基本拆散了，里面的结构一目了然。将右边刷电机连接主板的线拔下，测一下其阻值，发现小于5欧姆（正常情况下，新电机200欧姆，老电机几十个欧姆）。然后把左边和右边电机互换位置，启动机器，发现左右都不转，看来原来那个右电机已经坏了，同时右电机驱动电路也有问题。修理过程 𐟔簟”犧”𕦜𚥏碌姛𔦎奜觽‘上买到，不到30块。主板表面有一层绝缘层，测量时需要刮掉绝缘层。在待机时，左右两侧电机供电12V都有，但一旦边刷启动，右侧电机上12V就会拉低到0V，说明驱动电路确实有问题。拆掉主板的两颗固定螺丝，拔掉所有插头，就能把主板拿下了。仔细察看主板，发现左边和右边刷电机驱动是通过主板上的两颗MOSFET实现开和关。静态阻值测量发现这两个MOSFET都是N沟道，DS和GS之间电阻都正常，保护二极管也没有问题。通电工作时，G极电压在1.9到3.17伏之间正常变动，说明控制信号已经正常送到MOSFET开关，只是右侧一打开，12V电压就降为0。那么显然右侧这个供电电压有问题了。还好，这个主板只是双面板，还能依靠万用表找出12V供电线路。发现12V从电池上出来，分两路，各通过一个保护电阻再去电机。左路这个电阻是0欧姆，右路这个电阻在300欧姆。那就不对了，因为电机阻值是相当低的，一旦MOS开关管导通后，12V供电电压几乎全部加载在这个电阻上了。将此电阻（背面R344）换掉，再通电，一切就正常了。总结 𐟓 通过这次修理，我学到了不少关于电机和电路的知识。虽然过程有点繁琐，但看到机器重新正常工作，心里还是挺有成就感的。希望我的经验能帮到同样遇到这个问题的小伙伴们！

MOSFET导通：VGS超VTH 在介绍MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的工作原理时，我们经常会听到一个概念：当栅极电压（VGS）超过阈值电压（VTH）时，沟道形成，MOS管导通。但为什么在实际应用中，我们更关注VGS与VTH的关系呢？首先，让我们回顾一下VGS和VTH之间的关系。MOS管的转移特性曲线可以直观地展示这种关系。当VGS大于VTH时，MOS管导通，电流可以通过；而当VGS小于VTH时，MOS管截止，电流几乎不会通过。因此，要实现MOS管的开关功能，确保VGS大于VTH是必要的。那么，为什么在实际计算和使用时，我们更关注VGS与VTH的关系呢？其实，这个关系可以通过一个简单的公式来表示：VGS = VTH + Vds。其中，Vds是源极和漏极之间的电压。从这个公式可以看出，即使VGS略小于VTH，只要Vds足够大，也可以使MOS管导通。因此，在实际应用中，我们通常更关注Vds的大小，而不是VGS与VTH之间的差距。然而，栅源电压（VGS）与阈值电压（VTH）之间的关系直接决定了MOS管的导通与截止状态。在MOS管导通时，栅源电压（VGS）大于阈值电压（VTH），沟道形成，电流可以通过器件；而在MOS管截止时，栅源电压（VGS）小于阈值电压（VTH），沟道被堵塞，电流无法通过。总之，栅极电压与衬底电压之差大于阈值电压（VTH）是保证MOS管正常工作的必要条件，但并不足够决定MOS管的导通与截止。而栅源电压（VGS）与阈值电压（VTH）之间的关系则直接影响MOS管的导通与截止。

𐟔‹【反激变压器】RCD尖峰吸收电路详解𐟔犰Ÿ” 尖峰电压的产生：当MOS管从导通状态变为关闭状态时，变压器中储存的能量会转移到副边。然而，漏感中的能量无法直接转移到副边。由于漏感电流的方向不变，仍然是从右到左，而MOS管已经关闭，导致漏极电压逐渐升高。当电压达到311.7V时，二极管D1开始导通。 𐟔Œ 各器件的作用： D1：蓄流给C1充电。当漏感能量耗尽后，二极管D1截止，直到下一个周期MOS管导通再关闭时，漏感尖峰电压比C1电压高时才能重新导通。 C1：储存电荷，当漏感尖峰电压重新充电时，C1上的电压会被R1消耗，逐渐下降。 R1：在漏感能量释放完毕后（通常只占一个周期的3%时间），通过R1释放掉电容吸收的能量，将电容电压降下来，以便下一次漏感尖峰来之前再进行吸收。 𐟓 使用注意事项：漏感尖峰电压会被RCD吸收，漏感能量一定时，电容越大，充电电压越低，吸收能力越强，MOS漏极的电压就越低。在漏感能量释放完毕后，需要通过R1释放掉电容吸收的能量，将电容电压降下来，以便下一次漏感尖峰来之前再进行吸收。电容容量和电阻需要合理搭配，容量足够即可，能够吸收漏感尖峰电压，不至于超过MOS耐压。电阻需要足够小，小到在放电阶段把电容电压下降到MOS的电压平台。但是不能下降到电压平台以下，否则会浪费能量。 𐟓𘠤𛊥䩧š„需求是更换芯片并复用总线，任务艰巨。下次遇到类似情况时，需要更加冷静和专注。今天还定了生日写真，接下来要认真吃饭了。

电源板mos MOS管是一种常用的电子分立器件，通常有三个引脚：G（栅极）、D（漏极）和S（源极）。通过在G和S之间施加控制信号，可以改变D和S之间的导通和截止状态。PMOS和NMOS在结构上相似，但衬底和源漏的掺杂类型不同。NMOS在P型硅衬底上形成N型掺杂区作为源漏区，而PMOS则在N型硅衬底上形成P型掺杂区作为源漏区。本期介绍的是一款P沟道MOS管AO4435，它由合科泰生产，适用于电源、电机驱动、LED驱动、负载开关、模拟开关、高效率开关、电流调节、PWM应用和充电器等多种场合。 𐟔码O4435的特性 AO4435具有超低的导通电阻和栅极电荷，以及非常大的连续漏电流，适合大电流应用。它具有出色的电流和电压控制能力，开关速度快且效率高。当栅极施加电压时，电场控制沟道的导电性，从而调节漏源电流。AO4435的阈值电压相对较低，即使在低电压场景下也能实现关闭。具体参数如下：漏源电压-30V，栅源电压-25V，连续漏极电流-8A，漏源导通电阻0.018欧姆，最小栅极阈值电压-1.7V，最大栅极阈值电压-3V，耗散功率1.7W。 𐟓栤𚧥“封装 AO4435采用SOP-8封装形式，体积小，适合放置在尺寸较小的产品中。它具有高度集成、高效率和高可靠性等特点，紧凑型设计易于布局和焊接，散热性能表现优异。 𐟛 ️ AO4435的应用由于AO4435具备上述强大的特性，它在电源管理、电机驱动、LED驱动、负载开关、模拟开关、高效率开关、电流调节、PWM应用和充电器等场合都能发挥重要作用。例如，在电源管理中，AO4435用于电源开关和电流调整，很低的漏源导通电阻使得电流损耗小，大电流承受能力在稳压电路上起到稳定电压作用。此外，AO4435还可以在电源中用于电源开关，起到开关作用，如在DC-DC转换器中起到开关作用，控制电流的流动。在电机控制电路中，AO4435可以作为电机的驱动器件，调节电压的变化，控制电机的启停和转速。在LED照明系统中，AO4435可以用作LED驱动器，控制电流大小，实现对LED灯的亮度和开关控制。 AO4435在电路中起到调节电压电流、开关等作用，是电源和电机驱动等应用的理想选择。

小牛电动车电路改装避坑指南：别踩这些坑！大家好，今天我们来聊聊小牛电动车的电路改装，特别是那些常见的坑。希望这些经验能帮到正在改车的朋友们。高压中控：别盲目升级 𐟚늩斥…ˆ，很多人觉得高压中控能提高耐压范围，避免MOS管击穿。但其实，MOS管的击穿跟它的内阻有关，单纯升级高压中控并没有太大作用。除非你同时更换MOS管，否则这种升级基本没啥意义。高压灯控：就是个伪命题 𐟌‘ 所谓的高压灯控，其实是个误导。灯控的工作电压都是12V，无论输入还是输出，都是12V。那些打着高压灯控旗号的商家，都是在忽悠人。灯控加继电器：小心陷阱 ⚡ 高中物理告诉我们，继电器的作用是控制大电流高电压。但前提是你的继电器额定功率要够。我观察到的很多灯控加继电器的版本，继电器的额定电流只有5A，这意味着额定工作功率60W。而改了透镜大灯的朋友们都知道，透镜大灯的功率远超60W。所以这种改装不仅没用，还可能更危险。中控转接线加继电器：小心低电压限制 𐟔‹ 加继电器的目的是为了保护中控的MOS管不被击穿。因为中控在解锁时会有电流进入DC，DC供电给全车12V电路，本身DC属于感性负载，会导致瞬间电流比较大，容易导致MOS管击穿。所以用继电器来负责电路的导通，而中控负责继电器的吸合线路的导通。但这种方法的缺点也很明显，工作电压限制。目前常用的是84V和72V继电器，意味着低电压电池无法使用。因此不建议使用。总之，电路改装一定要谨慎，避免不必要的麻烦。下次我们再来聊聊如何避免灯控和中控的损坏，敬请期待！𐟚€

𐟔‹半导体功率器件探秘𐟔 𐟒᥍Š导体功率器件，你了解多少？今天，让我们一起探索其中的两大巨头：三极管（BJT）和场效应管！𐟚€ 𐟔餸‰极管以其稳定的电流放大功能和易于驱动的特点，在电子设备中占据一席之地。而场效应管，以其高输入阻抗和低噪声性能，在高频电路中大放异彩。𐟒ꊊ𐟒夽†今天，我们要特别介绍的是IGBT——一种结合了BJT和MOSFET优点的半导体功率器件。它拥有更高的电压和电流处理能力，输入阻抗也非常高。𐟚€ 𐟎›️IGBT可以通过非常低的控制电压来切换高电流电平，而且开关速度超快，比BJT还要高出不少。同时，它的导通电阻非常低，使得电路更加高效。𐟒ኊ𐟔’此外，IGBT还具有高电流密度，这意味着在相同的功率下，它可以拥有更小的芯片尺寸，从而节省空间和成本。而且，它的功率增益也比BJT和MOS管要高哦！𐟒𜊊𐟛᯸总的来说，IGBT以其卓越的性能和可靠性，在半导体功率器件领域中独树一帜。如果你对电子设备有浓厚的兴趣，不妨深入了解一下IGBT和其他半导体功率器件的奥秘吧！𐟌Ÿ

𐟔 三极管与MOS管大不同！ 𐟤” 你是否好奇三极管和MOS管之间的区别呢？今天就来一探究竟！ 𐟒ᠪ*三极管**： - 电流控制型元件 - 价格亲民，损耗小，适合低成本应用 - 分为NPN型和PNP型，由半导体结构决定 - 导通电流方向明确，NPN型c→e，PNP型e→c 𐟔砪*MOS管**： - 电压控制型元件 - 输入阻抗高，噪声小，热稳定性优异 - 分为PMOS和NMOS，由沟道类型区分 - 导通电流方向与三极管不同，需注意区分 𐟓– **基础应用电路示例**： - NPN三极管与NMOS管在电路中的运用有所不同，需根据具体需求选择 - PNP三极管与PMOS管同样存在差异，实际应用中需仔细比较 𐟒ᠪ*总结**：三极管与MOS管在控制方式、应用场景和电路设计上均存在显著差异。选择哪种元件，需根据具体需求和电路要求来决定。现在，你是否对这两者有了更清晰的认识呢？